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NVMFD5C672NLWFT1G

NVMFD5C672NLWFT1G

僅供參考

型號 NVMFD5C672NLWFT1G
PNEDA編號 NVMFD5C672NLWFT1G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5C672NLWFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5C672NLWFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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NVMFD5C672NLWFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta), 49A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 30µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.7nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds793pF @ 25V
功率-最大3.1W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1233pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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22A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

66mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A, 16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 15V

功率-最大

1.9W, 2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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