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NXPSC10650DJ

NXPSC10650DJ

僅供參考

型號 NXPSC10650DJ
PNEDA編號 NXPSC10650DJ
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NXPSC10650DJ資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NXPSC10650DJ
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NXPSC10650DJ, NXPSC10650DJ數據表 (總頁數: 10, 大小: 270.44 KB)
PDFNXPSC10650DJ數據表 封面
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NXPSC10650DJ規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 10A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 650V
電容@ Vr,F300pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK
工作溫度-結點175°C (Max)

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240A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

400mV @ 240A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

80mA @ 15V

電容@ Vr,F

15800pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

HALF-PAK

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 250mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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