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PCF6680AS

PCF6680AS

僅供參考

型號 PCF6680AS
PNEDA編號 PCF6680AS
描述 DIE TRANS MOSFET N-CH 30V
制造商 MICROSS/On Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PCF6680AS資源

品牌 MICROSS/On Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PCF6680AS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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PCF6680AS規格

制造商MICROSS/On Semiconductor
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

363pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-

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2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

188pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

600mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2560pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

368W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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