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PD85025TR-E

PD85025TR-E

僅供參考

型號 PD85025TR-E
PNEDA編號 PD85025TR-E
描述 TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 13,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PD85025TR-E資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PD85025TR-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
PD85025TR-E, PD85025TR-E數據表 (總頁數: 16, 大小: 268.07 KB)
PDFPD85025-E數據表 封面
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PD85025TR-E規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率870MHz
增益17.3dB
電壓-測試13.6V
額定電流(安培)7A
噪聲系數-
當前-測試300mA
功率-輸出10W
電壓-額定40V
包裝/箱PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
供應商設備包裝PowerSO-10RF (Formed Lead)

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電壓-測試

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額定電流(安培)

10mA

噪聲系數

4dB

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

25V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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功率-輸出

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

-

頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

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電壓-測試

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額定電流(安培)

1µA

噪聲系數

-

當前-測試

550mA

功率-輸出

45W

電壓-額定

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包裝/箱

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