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PHD16N03LT,118

PHD16N03LT,118

僅供參考

型號 PHD16N03LT,118
PNEDA編號 PHD16N03LT-118
描述 MOSFET N-CH 30V 16A DPAK
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PHD16N03LT資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PHD16N03LT,118
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PHD16N03LT, PHD16N03LT數據表 (總頁數: 12, 大小: 92.88 KB)
PDFPHD16N03LT數據表 封面
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PHD16N03LT規格

制造商NXP USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs67mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 10V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds210pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)32.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 360µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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