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PHKD3NQ10T,518

PHKD3NQ10T,518

僅供參考

型號 PHKD3NQ10T,518
PNEDA編號 PHKD3NQ10T-518
描述 MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 4,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PHKD3NQ10T資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PHKD3NQ10T,518
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PHKD3NQ10T, PHKD3NQ10T數據表 (總頁數: 13, 大小: 291.31 KB)
PDFPHKD3NQ10T數據表 封面
PHKD3NQ10T數據表 頁面 2 PHKD3NQ10T數據表 頁面 3 PHKD3NQ10T數據表 頁面 4 PHKD3NQ10T數據表 頁面 5 PHKD3NQ10T數據表 頁面 6 PHKD3NQ10T數據表 頁面 7 PHKD3NQ10T數據表 頁面 8 PHKD3NQ10T數據表 頁面 9 PHKD3NQ10T數據表 頁面 10 PHKD3NQ10T數據表 頁面 11

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PHKD3NQ10T規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds633pF @ 20V
功率-最大2W
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta), 12A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

834pF @ 10V

功率-最大

1.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

65V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2660pF @ 25V

功率-最大

4.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

840pF @ 10V

功率-最大

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