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PHN210T,118

PHN210T,118

僅供參考

型號 PHN210T,118
PNEDA編號 PHN210T-118
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PHN210T資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PHN210T,118
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PHN210T, PHN210T數據表 (總頁數: 14, 大小: 433.02 KB)
PDFPHN210T數據表 封面
PHN210T數據表 頁面 2 PHN210T數據表 頁面 3 PHN210T數據表 頁面 4 PHN210T數據表 頁面 5 PHN210T數據表 頁面 6 PHN210T數據表 頁面 7 PHN210T數據表 頁面 8 PHN210T數據表 頁面 9 PHN210T數據表 頁面 10 PHN210T數據表 頁面 11

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PHN210T規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 20V
功率-最大2W
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

74mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

634pF @ 40V

功率-最大

900mW

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 2.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

715pF @ 6.4V

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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