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PIMH9,115

PIMH9,115

僅供參考

型號 PIMH9,115
PNEDA編號 PIMH9-115
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.6W 6TSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PIMH9資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PIMH9,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PIMH9, PIMH9數據表 (總頁數: 18, 大小: 785.91 KB)
PDFPIMH9數據表 封面
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PIMH9規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大600mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-TSOP

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1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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頻率-過渡

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1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100kOhms, 2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

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Nexperia

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Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

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50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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