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PMBFJ110,215

PMBFJ110,215

僅供參考

型號 PMBFJ110,215
PNEDA編號 PMBFJ110-215
描述 JFET N-CH 25V 250MW SOT23
制造商 NXP
單價
1 ---------- $33.6846
100 ---------- $32.1056
250 ---------- $30.5267
500 ---------- $28.9477
750 ---------- $27.6319
1,000 ---------- $26.3161
庫存 49,990
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMBFJ110資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMBFJ110,215
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
PMBFJ110, PMBFJ110數據表 (總頁數: 9, 大小: 81.21 KB)
PDFPMBFJ108數據表 封面
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PMBFJ110規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)10mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID4V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)18 Ohms
功率-最大250mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23 (TO-236AB)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2.5mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

180mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

電阻-RDS(On)

200 Ohms

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

140µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

100mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.1pF @ 2V

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 0V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

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