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TF256TH-4-TL-H

TF256TH-4-TL-H

僅供參考

型號 TF256TH-4-TL-H
PNEDA編號 TF256TH-4-TL-H
描述 JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TF256TH-4-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TF256TH-4-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
TF256TH-4-TL-H, TF256TH-4-TL-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 358 KB)
PDFTF256TH-3-TL-H數據表 封面
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TF256TH-4-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)140µA @ 2V
電流消耗(Id)-最大1mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID100mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3.1pF @ 2V
電阻-RDS(On)-
功率-最大100mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝3-VTFP

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 12V (VGS)

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

310mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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安裝類型

Through Hole

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

50V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

300µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

6.5mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

400mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.2pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

400mW

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電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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