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PMBFJ112,215

PMBFJ112,215

僅供參考

型號 PMBFJ112,215
PNEDA編號 PMBFJ112-215
描述 JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
制造商 NXP
單價
1 ---------- $4.8329
250 ---------- $4.6064
500 ---------- $4.3798
1,000 ---------- $4.1533
2,500 ---------- $3.9645
5,000 ---------- $3.7757
庫存 2
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMBFJ112資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMBFJ112,215
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
PMBFJ112, PMBFJ112數據表 (總頁數: 9, 大小: 81.39 KB)
PDFPMBFJ113數據表 封面
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PMBFJ112規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)40V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID5V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)50 Ohms
功率-最大300mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23 (TO-236AB)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

400mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.2pF @ 0V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27pF @ 15V

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功率-最大

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

6 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

24mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

190mW

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

500mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4.5V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

3 Ohms

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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