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PMDPB58UPE,115

PMDPB58UPE,115

僅供參考

型號 PMDPB58UPE,115
PNEDA編號 PMDPB58UPE-115
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 67,674
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMDPB58UPE資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMDPB58UPE,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PMDPB58UPE, PMDPB58UPE數據表 (總頁數: 14, 大小: 702.24 KB)
PDFPMDPB58UPE數據表 封面
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PMDPB58UPE規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs67mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds804pF @ 10V
功率-最大515mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-HUSON-EP (2x2)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

208A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 25V

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A, 1.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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