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PMDPB95XNE,115

PMDPB95XNE,115

僅供參考

型號 PMDPB95XNE,115
PNEDA編號 PMDPB95XNE-115
描述 MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 27 - 五月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMDPB95XNE資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMDPB95XNE,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PMDPB95XNE, PMDPB95XNE數據表 (總頁數: 14, 大小: 318.41 KB)
PDFPMDPB95XNE數據表 封面
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PMDPB95XNE規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds143pF @ 15V
功率-最大475mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝DFN2020-6

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A, 5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A, 6.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1495pF @ 6V

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.17A, 1.64A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 25V

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