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PMGD280UN,115

PMGD280UN,115

僅供參考

型號 PMGD280UN,115
PNEDA編號 PMGD280UN-115
描述 MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 57,954
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMGD280UN資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMGD280UN,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PMGD280UN, PMGD280UN數據表 (總頁數: 13, 大小: 207.81 KB)
PDFPMGD280UN數據表 封面
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PMGD280UN規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)870mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs340mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.89nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds45pF @ 20V
功率-最大400mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝6-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A, 2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

731pF @ 20V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta), 145A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.65mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3170pF @ 25V

功率-最大

3.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1286pF @ 10V

功率-最大

600mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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