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PTFB192557SHV1R250XTMA1

PTFB192557SHV1R250XTMA1

僅供參考

型號 PTFB192557SHV1R250XTMA1
PNEDA編號 PTFB192557SHV1R250XTMA1
描述 IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,654
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PTFB192557SHV1R250XTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PTFB192557SHV1R250XTMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
PTFB192557SHV1R250XTMA1, PTFB192557SHV1R250XTMA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 559.62 KB)
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PTFB192557SHV1R250XTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益19dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.35A
功率-輸出60W
電壓-額定65V
包裝/箱H-34288G-4/2
供應商設備包裝H-34288G-4/2

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28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

750mA

功率-輸出

20W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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增益

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

700mA

功率-輸出

100W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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電壓-額定

28V

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48V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

150mA

功率-輸出

50W

電壓-額定

125V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-780S-4L

制造商

NXP USA Inc.

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頻率

1.99GHz

增益

18.2dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.6A

功率-輸出

74W

電壓-額定

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