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PUMD3,135

PUMD3,135

僅供參考

型號 PUMD3,135
PNEDA編號 PUMD3-135
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 106,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PUMD3資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PUMD3,135
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PUMD3, PUMD3數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,688.92 KB)
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PUMD3規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝6-TSSOP

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

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功率-最大

600mW

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

220Ohms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

150mW

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