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PQMH10Z

PQMH10Z

僅供參考

型號 PQMH10Z
PNEDA編號 PQMH10Z
描述 TRANS NPN/NPN RET 6DFN
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PQMH10Z資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PQMH10Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PQMH10Z, PQMH10Z數據表 (總頁數: 14, 大小: 702.49 KB)
PDFPQMH10Z數據表 封面
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PQMH10Z規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡230MHz
功率-最大350mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝DFN1010B-6

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制造商

Diodes Incorporated

系列

Automotive, AEC-Q101

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

270mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

PBLS6023D,115

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 60V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

760mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

供應商設備包裝

6-TSOP

NSVMUN5331DW1T1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SC-88/SC70-6/SOT-363

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Diodes Incorporated

系列

Automotive, AEC-Q101

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms, 22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms, 22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

270mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz, 140MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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