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PUMF11,115

PUMF11,115

僅供參考

型號 PUMF11,115
PNEDA編號 PUMF11-115
描述 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PUMF11資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PUMF11,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PUMF11, PUMF11數據表 (總頁數: 8, 大小: 363.07 KB)
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PUMF11規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V, 40V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡100MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝6-TSSOP

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50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 2.5mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

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功率-最大

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

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電阻-基本(R1)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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