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R1LP0108ESF-5SI#S1

R1LP0108ESF-5SI#S1

僅供參考

型號 R1LP0108ESF-5SI#S1
PNEDA編號 R1LP0108ESF-5SI-S1
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LP0108ESF-5SI#S1資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LP0108ESF-5SI#S1
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1LP0108ESF-5SI#S1規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP (8x20)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

32-VSOP

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 2V

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