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R6076ENZ1C9

R6076ENZ1C9

僅供參考

型號 R6076ENZ1C9
PNEDA編號 R6076ENZ1C9
描述 MOSFET N-CH 600V 76A TO247
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6076ENZ1C9資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6076ENZ1C9
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
R6076ENZ1C9, R6076ENZ1C9數據表 (總頁數: 13, 大小: 1,001.75 KB)
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R6076ENZ1C9規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)76A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs260nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)120W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

44W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

460A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

291nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23100pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 300W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

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