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RD3S075CNTL1

RD3S075CNTL1

僅供參考

型號 RD3S075CNTL1
PNEDA編號 RD3S075CNTL1
描述 NCH 190V 7.5A POWER MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RD3S075CNTL1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RD3S075CNTL1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RD3S075CNTL1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)190V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs336mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)52W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1167pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

69mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5168pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

341W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

117mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 15V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

625mW (Ta)

工作溫度

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