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RF101L2SDDTE25

RF101L2SDDTE25

僅供參考

型號 RF101L2SDDTE25
PNEDA編號 RF101L2SDDTE25
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RF101L2SDDTE25資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RF101L2SDDTE25
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RF101L2SDDTE25, RF101L2SDDTE25數據表 (總頁數: 6, 大小: 324.83 KB)
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RF101L2SDDTE25規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果870mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝PMDS
工作溫度-結點150°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

11µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1400V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 2000V

電容@ Vr,F

8pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 40V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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包裝/箱

DO-214AC, SMA

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