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RGP02-18EHE3/73

RGP02-18EHE3/73

僅供參考

型號 RGP02-18EHE3/73
PNEDA編號 RGP02-18EHE3-73
描述 DIODE GEN PURP 1.8KV 500MA DO204
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGP02-18EHE3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGP02-18EHE3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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RGP02-18EHE3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1800V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 100mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)300ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 100V

電容@ Vr,F

230pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 2400V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

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600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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