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RGP02-20E-M3/73

RGP02-20E-M3/73

僅供參考

型號 RGP02-20E-M3/73
PNEDA編號 RGP02-20E-M3-73
描述 DIODE GEN PURP 2KV 500MA DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 11 - 十一月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGP02-20E-M3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGP02-20E-M3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RGP02-20E-M3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)2000V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 100mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)300ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 2000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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70V

電流-平均整流(Io)

250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 70V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

189pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

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