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BAL99-E3-18

BAL99-E3-18

僅供參考

型號 BAL99-E3-18
PNEDA編號 BAL99-E3-18
描述 DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAL99-E3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAL99-E3-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BAL99-E3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)70V
電流-平均整流(Io)250mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)6ns
當前-反向泄漏@ Vr2.5µA @ 70V
電容@ Vr,F1.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

67µA @ 420V

電容@ Vr,F

970pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

250mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 150V

電容@ Vr,F

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50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

75pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

700mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 90V

電容@ Vr,F

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