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RGW60TS65GC11

RGW60TS65GC11

僅供參考

型號 RGW60TS65GC11
PNEDA編號 RGW60TS65GC11
描述 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,252
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGW60TS65GC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGW60TS65GC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGW60TS65GC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 30A
功率-最大178W
開關能量480µJ (on), 490µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用84nC
25°C時的Td(開/關)37ns/114ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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開關能量

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輸入類型

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門禁費用

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輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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10A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 7A

功率-最大

25W

開關能量

95µJ (on), 115µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

18.5ns/72ns

測試條件

390V, 7A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

76A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 35A

功率-最大

268W

開關能量

390µJ (on), 632µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

104nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/105ns

測試條件

400V, 35A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 20A

功率-最大

166W

開關能量

770µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/199ns

測試條件

400V, 20A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

41ns

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-40°C ~ 175°C (TJ)

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