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IXDP20N60B

IXDP20N60B

僅供參考

型號 IXDP20N60B
PNEDA編號 IXDP20N60B
描述 IGBT 600V 32A 140W TO220AB
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDP20N60B資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDP20N60B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXDP20N60B, IXDP20N60B數據表 (總頁數: 4, 大小: 209.84 KB)
PDFIXDP20N60B數據表 封面
IXDP20N60B數據表 頁面 2 IXDP20N60B數據表 頁面 3 IXDP20N60B數據表 頁面 4

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IXDP20N60B規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)32A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 20A
功率-最大140W
開關能量900µJ (on), 400µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用70nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件300V, 20A, 22Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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700A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 120A

功率-最大

1500W

開關能量

6.75mJ (on), 5.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

412nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/176ns

測試條件

600V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 40A

功率-最大

280W

開關能量

1.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

190nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/110ns

測試條件

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Infineon Technologies

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

68A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 18A

功率-最大

100W

開關能量

260µJ (on), 3.45mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/540ns

測試條件

480V, 18A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 20A

功率-最大

166W

開關能量

140µJ (on), 560µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

63nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/108ns

測試條件

400V, 20A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

166ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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54ns

工作溫度

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包裝/箱

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