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RJH65D27BDPQ-A0#T0

RJH65D27BDPQ-A0#T0

僅供參考

型號 RJH65D27BDPQ-A0#T0
PNEDA編號 RJH65D27BDPQ-A0-T0
描述 IGBT 650V
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJH65D27BDPQ-A0#T0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJH65D27BDPQ-A0#T0
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RJH65D27BDPQ-A0#T0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

161W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

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40A

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60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

250W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

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當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 3A

功率-最大

22W

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輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

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測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

23ns

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 30A

功率-最大

188W

開關能量

280µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

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門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/177ns

測試條件

400V, 15A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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