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RJP6085DPK-00#T0

RJP6085DPK-00#T0

僅供參考

型號 RJP6085DPK-00#T0
PNEDA編號 RJP6085DPK-00-T0
描述 IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 1 - 四月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJP6085DPK-00#T0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJP6085DPK-00#T0
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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RJP6085DPK-00#T0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.5V @ 15V, 40A
功率-最大178.5W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 3A

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門禁費用

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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輸入類型

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安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 200A

功率-最大

-

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-

輸入類型

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門禁費用

1110nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 28A

功率-最大

250W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

92nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/210ns

測試條件

960V, 28A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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