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RM2000E-TP

RM2000E-TP

僅供參考

型號 RM2000E-TP
PNEDA編號 RM2000E-TP
描述 DIODE GEN PURP 2KV 500MA DO214
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 2,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RM2000E-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RM2000E-TP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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RM2000E-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)2000V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3V @ 500mA
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 2000V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMAE)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 660V

電容@ Vr,F

40pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

14pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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600mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6.4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 20V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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