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RMLV0816BGBG-4S2#AC0

RMLV0816BGBG-4S2#AC0

僅供參考

型號 RMLV0816BGBG-4S2#AC0
PNEDA編號 RMLV0816BGBG-4S2-AC0
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RMLV0816BGBG-4S2#AC0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RMLV0816BGBG-4S2#AC0
類別半導體內存IC內存
數據表
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RMLV0816BGBG-4S2#AC0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小8Mb (512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電2.4V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (7.5x8.5)

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內存接口

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

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70ns

電壓-供電

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

35ns

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工作溫度

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寫周期-字,頁

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

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78-FBGA (9x11.5)

MT40A1G16HBA-083E:A

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制造商

Micron Technology Inc.

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-

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

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