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RN1310(TE85L,F)

RN1310(TE85L,F)

僅供參考

型號 RN1310(TE85L,F)
PNEDA編號 RN1310-TE85L-F
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1310(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1310(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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RN1310(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大100mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝USM

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

24 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

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