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RN4901,LF(CT

RN4901,LF(CT

僅供參考

型號 RN4901,LF(CT
PNEDA編號 RN4901-LF-CT
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN4901資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN4901,LF(CT
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

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RN4901規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7kOhms
電阻-發射極基(R2)4.7kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz, 200MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝US6

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

220Ohms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 100mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 20V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

100MHz

功率-最大

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 60V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

185MHz

功率-最大

600mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms, 1kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms, 10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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