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RQ5C030TPTL

RQ5C030TPTL

僅供參考

型號 RQ5C030TPTL
PNEDA編號 RQ5C030TPTL
描述 RQ5C030TP IS A MOSFET WITH G-S P
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 13 - 一月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RQ5C030TPTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RQ5C030TPTL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RQ5C030TPTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs75mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.3nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds840pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSMT3
包裝/箱SC-96

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

P-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 12A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.6A (Ta), 19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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