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RSH070N05GZETB

RSH070N05GZETB

僅供參考

型號 RSH070N05GZETB
PNEDA編號 RSH070N05GZETB
描述 MOSFET N-CH 45V 7A SOP8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RSH070N05GZETB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RSH070N05GZETB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RSH070N05GZETB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)45V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.8nC @ 5V
Vgs(最大)20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1000pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

331pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 20V

FET功能

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

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安裝類型

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1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.65nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

83pF @ 10V

FET功能

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