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RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

僅供參考

型號 RU1J002YNTCL
PNEDA編號 RU1J002YNTCL
描述 MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 349,686
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RU1J002YNTCL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RU1J002YNTCL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RU1J002YNTCL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)0.9V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds26pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)150mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝UMT3F
包裝/箱SC-85

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

476pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 675µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±20V

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功耗(最大值)

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