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S1JB M4G

S1JB M4G

僅供參考

型號 S1JB M4G
PNEDA編號 S1JB-M4G
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1JB M4G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1JB M4G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S1JB M4G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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700mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 800mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220FPAB

工作溫度-結點

150°C (Max)

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.3V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

240ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 470A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-205AA (DO-8)

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