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S1M-JR3

S1M-JR3

僅供參考

型號 S1M-JR3
PNEDA編號 S1M-JR3
描述 STANDARD RECOVERY RECTIFIER
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1M-JR3資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1M-JR3
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S1M-JR3規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 1000V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 9.4A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

28pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.29V @ 30A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 1200V

電容@ Vr,F

10pF @ 400V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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