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S29XS128RABBHI000

S29XS128RABBHI000

僅供參考

型號 S29XS128RABBHI000
PNEDA編號 S29XS128RABBHI000
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 21 - 三月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29XS128RABBHI000資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29XS128RABBHI000
類別半導體內存IC內存
數據表
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S29XS128RABBHI000規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列XS-R
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率108MHz
寫周期-字,頁60ns
訪問時間80ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-VFBGA
供應商設備包裝44-FBGA (7.5x5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-TWBGA (9x13)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

StrataFlash™

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

系列

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

120MHz

寫周期-字,頁

50µs, 2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

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制造商

ON Semiconductor

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

500µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 90°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

8Gb (2G x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.5ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

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