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S4KW12C-6N

S4KW12C-6N

僅供參考

型號 S4KW12C-6N
PNEDA編號 S4KW12C-6N
描述 DIODE GEN PURP 12KV 12A MODULE
制造商 Semtech
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S4KW12C-6N資源

品牌 Semtech
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S4KW12C-6N
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S4KW12C-6N規格

制造商Semtech Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)12000V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果12V @ 12A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr4µA @ 12000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

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制造商

ON Semiconductor

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.4V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-2

供應商設備包裝

TO-247-2

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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制造商

Cree/Wolfspeed

系列

Z-Rec®

二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

24A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

441pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220-2

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 300A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 45V

電容@ Vr,F

400pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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