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SD200SA30B.T

SD200SA30B.T

僅供參考

型號 SD200SA30B.T
PNEDA編號 SD200SA30B-T
描述 PIV 30V IO 60A CHIP SIZE 200MIL
制造商 SMC Diode Solutions
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SD200SA30B.T資源

品牌 SMC Diode Solutions
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SD200SA30B.T
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SD200SA30B.T規格

制造商SMC Diode Solutions
系列*
二極管類型-
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度-
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

430mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

130µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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