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SE15FDHM3/H

SE15FDHM3/H

僅供參考

型號 SE15FDHM3/H
PNEDA編號 SE15FDHM3-H
描述 DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE15FDHM3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE15FDHM3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE15FDHM3/H, SE15FDHM3/H數據表 (總頁數: 6, 大小: 127.85 KB)
PDFSE15FJHM3/I數據表 封面
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SE15FDHM3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 1.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)900ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F10.5pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

21ns

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

65pF @ 10V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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