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SF68GHB0G

SF68GHB0G

僅供參考

型號 SF68GHB0G
PNEDA編號 SF68GHB0G
描述 DIODE GEN PURP 600V 6A DO201AD
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SF68GHB0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SF68GHB0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SF68GHB0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 6A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F50pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

75mA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-200AB, B-PUK

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

100A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

800ns

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 125A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

9mA @ 1200V

電容@ Vr,F

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

250pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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