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SFS1003G MNG

SFS1003G MNG

僅供參考

型號 SFS1003G MNG
PNEDA編號 SFS1003G-MNG
描述 DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SFS1003G MNG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SFS1003G MNG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SFS1003G MNG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果975mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 150V
電容@ Vr,F70pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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50V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

400pF @ 25V

安裝類型

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PowerDI™ 5

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

650ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

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