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SH8J65TB1

SH8J65TB1

僅供參考

型號 SH8J65TB1
PNEDA編號 SH8J65TB1
描述 MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8J65TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8J65TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SH8J65TB1, SH8J65TB1數據表 (總頁數: 6, 大小: 156.29 KB)
PDFSH8J65TB1數據表 封面
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SH8J65TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 15A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

542pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

455mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.41nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

31pF @ 15V

功率-最大

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

67mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

804pF @ 10V

功率-最大

515mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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