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SH8MA4TB1

SH8MA4TB1

僅供參考

型號 SH8MA4TB1
PNEDA編號 SH8MA4TB1
描述 SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8MA4TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8MA4TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SH8MA4TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Ta), 8.5A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs21.4mOhm @ 9A, 10V, 29.6mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15.5nC, 19.6nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds640pF, 890pF @ 15V
功率-最大2W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12.2pF @ 3V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1021pF @ 30V

功率-最大

1.81W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 10V

功率-最大

6.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1020pF @ 15V

功率-最大

15.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 10V

功率-最大

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