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SIA914DJ-T1-GE3

SIA914DJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA914DJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA914DJ-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA914DJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA914DJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIA914DJ-T1-GE3, SIA914DJ-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 142.51 KB)
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SIA914DJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs53mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.5nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 10V
功率-最大6.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

865pF @ 15V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate, 4.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.6nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 15V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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PowerPAK® 1212-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

87A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.810nF @ 800V

功率-最大

337W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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FET類型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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