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SI1016X-T1-E3

SI1016X-T1-E3

僅供參考

型號 SI1016X-T1-E3
PNEDA編號 SI1016X-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1016X-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1016X-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1016X-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)485mA, 370mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.75nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SC-89-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 20V

功率-最大

17.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

500nC @ 20V

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10200pF @ 800V

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