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SI1023CX-T1-GE3

SI1023CX-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1023CX-T1-GE3
PNEDA編號 SI1023CX-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1023CX-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1023CX-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1023CX-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs756mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds45pF @ 10V
功率-最大220mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SC-89-6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

500nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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