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SI1037X-T1-GE3

SI1037X-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1037X-T1-GE3
PNEDA編號 SI1037X-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1037X-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1037X-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1037X-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)770mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs195mOhm @ 770mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)170mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-89 (SOT-563F)
包裝/箱SOT-563, SOT-666

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 61A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

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FET功能

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功耗(最大值)

150W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.3nC @ 4.5V

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